FCP110N65F,864-7896,Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP110N65F, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP110N65F, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
FCP110N65F
库存编号:
864-7896
Fairchild Semiconductor FCP110N65F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FCP110N65F产品详细信息

SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET? II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。

FCP110N65F产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.7 x 16.3mm  
  典型关断延迟时间  89 ns  
  典型接通延迟时间  31 ns  
  典型输入电容值@Vds  3680 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  94 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  16.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SuperFET II  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  357 W  
  最大连续漏极电流  35 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  110 mΩ  
  最大栅源电压  ±20(直流)V,±30(交流)V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
关键词         

FCP110N65F相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm   典型关断延迟时间 89 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 89 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 89 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 89 ns   典型接通延迟时间 31 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 31 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 31 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 31 ns   典型输入电容值@Vds 3680 pF @ 100 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 3680 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3680 pF @ 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3680 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 94 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 94 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 94 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 94 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.3mm  MOSFET 晶体管 高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 16.3mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SuperFET II  Fairchild Semiconductor 系列 SuperFET II  MOSFET 晶体管 系列 SuperFET II  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 SuperFET II   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 357 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 357 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 357 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 357 W   最大连续漏极电流 35 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 35 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 35 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 35 A   最大漏源电压 650 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 110 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 110 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ   最大栅源电压 ±20(直流)V,±30(交流)V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20(直流)V,±30(交流)V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20(直流)V,±30(交流)V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20(直流)V,±30(交流)V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号