IPP65R660CFDAAKSA1,857-6959,Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R660CFDAAKSA1, 6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R660CFDAAKSA1, 6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IPP65R660CFDAAKSA1
库存编号:
857-6959
Infineon IPP65R660CFDAAKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPP65R660CFDAAKSA1产品详细信息

Infineon CoolMOS? CFD 功率 MOSFET

IPP65R660CFDAAKSA1产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.57 x 15.95mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  543 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS CFD  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  62.5 W  
  最大连续漏极电流  6 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  660 mΩ  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPP65R660CFDAAKSA1产品技术参数资料

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