产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PH8230E,115, 67 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
PH8230E,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-150
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTD24N06LT4G, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
NTD24N06LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9127
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD24N06T4G, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
NTD24N06T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1002
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
BSC900N20NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4400
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5N50NZFTM, 3.7 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
FDD5N50NZFTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6175
查看其他仓库
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
SIRA06DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9373
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R660CFDAAKSA1, 6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
IPP65R660CFDAAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6959
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
IPW65R660CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7655
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4835NT1G, 104 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
NTMFS4835NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0696
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTP2955G, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
NTP2955G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4736
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF2710T, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
FDPF2710T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8590
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
BSZ900N20NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4444
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Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C2M0280120D, 10 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
C2M0280120D
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
915-8820
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD24N06LT4G, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
NTD24N06LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5067
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
IPP65R660CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6940
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC16DN25NS3 G, 10.9 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 62.5 W,
制造商零件编号:
BSC16DN25NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4454
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