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安装类型	表面贴装
长度	6.1mm
尺寸	6.1 x 5.1 x 1.5mm
典型关断延迟时间	13 ns，33 ns
典型接通延迟时间	7 ns，8 ns
典型输入电容值@Vds	1360 pF@ 15 V，2950 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	20 nC @ 4.5 V，8.4 nC @ 4.5 V
封装类型	SON
高度	1.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	串行
宽度	5.1mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	12 W
最大连续漏极电流	120 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	1.2 mΩ，5 mΩ
最大栅阈值电压	2.1V
最大栅源电压	8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.1mm  Texas Instruments 长度 6.1mm  MOSFET 晶体管 长度 6.1mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 6.1mm   尺寸 6.1 x 5.1 x 1.5mm  Texas Instruments 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.5mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.5mm   典型关断延迟时间 13 ns，33 ns  Texas Instruments 典型关断延迟时间 13 ns，33 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns，33 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns，33 ns   典型接通延迟时间 7 ns，8 ns  Texas Instruments 典型接通延迟时间 7 ns，8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns，8 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns，8 ns   典型输入电容值@Vds 1360 pF@ 15 V，2950 pF@ 15 V  Texas Instruments 典型输入电容值@Vds 1360 pF@ 15 V，2950 pF@ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1360 pF@ 15 V，2950 pF@ 15 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1360 pF@ 15 V，2950 pF@ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V，8.4 nC @ 4.5 V  Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V，8.4 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V，8.4 nC @ 4.5 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V，8.4 nC @ 4.5 V   封装类型 SON  Texas Instruments 封装类型 SON  MOSFET 晶体管 封装类型 SON  Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 SON   高度 1.5mm  Texas Instruments 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  Texas Instruments 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 串行  Texas Instruments 晶体管配置 串行  MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行   宽度 5.1mm  Texas Instruments 宽度 5.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.1mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 宽度 5.1mm   每片芯片元件数目 2  Texas Instruments 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Texas Instruments MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Texas Instruments 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Texas Instruments 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Texas Instruments 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Texas Instruments MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 12 W  Texas Instruments 最大功率耗散 12 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 12 W  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大功率耗散 12 W   最大连续漏极电流 120 A  Texas Instruments 最大连续漏极电流 120 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A   最大漏源电压 30 V  Texas Instruments 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 1.2 mΩ，5 mΩ  Texas Instruments 最大漏源电阻值 1.2 mΩ，5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 mΩ，5 mΩ  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.2 mΩ，5 mΩ   最大栅阈值电压 2.1V  Texas Instruments 最大栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V   最大栅源电压 8 V  Texas Instruments 最大栅源电压 8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 8 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅源电压 8 V   最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Texas Instruments 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V