规格:最大栅源电压 8 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDV303N, 680 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDV303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4890
查看其他仓库
Nexperia N沟道 Si MOSFET BF908WR,115, 40 mA, Vds=12 V, 4引脚 CMPAK封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
BF908WR,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
626-2428
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDC6301N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0155
搜索
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR290UNE, 700 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
PMR290UNE
品牌:
NXP
库存编号:
816-6919
查看其他仓库
Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87331Q3D, 45 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
CSD87331Q3D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4940
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDV304P, 460 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDV304P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4913
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
NDS331N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1078
搜索
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDG6301N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0170
搜索
Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
CSD13381F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9231
搜索
Texas Instruments 双 N沟道 Si MOSFET 模块 CSD86330Q3D, 60 A, Vds=20 V, 8引脚 SON封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
CSD86330Q3D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4934
搜索
Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87350Q5D, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
CSD87350Q5D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4943
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDV302P, 120 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDV302P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4935
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMV160UP, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
PMV160UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6928
搜索
Fairchild Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET FDG6301N_F085, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDG6301N_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8146
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6303N, 680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDC6303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4941
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6303N, 500 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDG6303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0189
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Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET PMDT290UCE, 550 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
PMDT290UCE
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6814
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Texas Instruments 双 N沟道 Si MOSFET 模块 CSD86350Q5D, 120 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
CSD86350Q5D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4937
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET FDV301N, 220 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅源电压 8 V,
制造商零件编号:
FDV301N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4907
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