关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.6 x 1.1mm
典型关断延迟时间	19 ns
典型接通延迟时间	8.8 ns
典型输入电容值@Vds	863 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	5.8 nC @ 4.5 V
封装类型	SC-59
高度	1.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.6mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	OptiMOS 2
引脚数目	3
最大功率耗散	500 mW
最大连续漏极电流	3.8 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	33 mΩ
最大栅阈值电压	1.2V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.7V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Infineon 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm  Infineon 尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.6 x 1.1mm   典型关断延迟时间 19 ns  Infineon 典型关断延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns   典型接通延迟时间 8.8 ns  Infineon 典型接通延迟时间 8.8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.8 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.8 ns   典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 863 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V   封装类型 SC-59  Infineon 封装类型 SC-59  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-59  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SC-59   高度 1.1mm  Infineon 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.6mm  Infineon 宽度 1.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm   类别 小信号  Infineon 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Infineon MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS 2  Infineon 系列 OptiMOS 2  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 2  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 2   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 500 mW  Infineon 最大功率耗散 500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大连续漏极电流 3.8 A  Infineon 最大连续漏极电流 3.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.8 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.8 A   最大漏源电压 20 V  Infineon 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 33 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 33 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 33 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 33 mΩ   最大栅阈值电压 1.2V  Infineon 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最大栅源电压 ±12 V  Infineon 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.7V  Infineon 最小栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  

• BSR202N OptiMOS2 Small Signal Transistor Datasheet