规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTMD3P03R2G, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
NTMD3P03R2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9137
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXM64P03XTA, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
ZXM64P03XTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5326
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDME1024NZT, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
FDME1024NZT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9576
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
STD4N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9575
查看其他仓库
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
SI5935CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1352
搜索
DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP2160UFDB-7, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 DFN封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
DMP2160UFDB-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-8499
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
IRF5805TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3763
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-251封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
STU4N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9746
查看其他仓库
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3110S-7, 3.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
DMN3110S-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2576
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR202NL6327, 3.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
BSR202NL6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9386
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR224PBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
IRFR224PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9945
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STP4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
STP4N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9691
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMA3028N, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
FDMA3028N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1847
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF4N60NZ, 3.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
FDPF4N60NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3627
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR224TRPBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
IRFR224TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0622
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI9407BDY-T1-GE3, 3.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
SI9407BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1444
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
SI5935CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4325
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN7A11GTA, 3.8 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
ZXMN7A11GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2501
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI1470DH-T1-E3, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
SI1470DH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3222
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3098L-7, 3.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
DMP3098L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4266
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STF4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
STF4N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0474
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU224PBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-251封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
IRFU224PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0679
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9Z14GPBF, 3.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
IRFI9Z14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2718
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大连续漏极电流 3.8 A,
制造商零件编号:
IRF5805TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3922
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