SIA429DJT-T1-GE3,818-1450,Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装 ,Vishay
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Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装

制造商零件编号:
SIA429DJT-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
818-1450
Vishay SIA429DJT-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SIA429DJT-T1-GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

SIA429DJT-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.15mm  
  尺寸  2.15 x 2.15 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  80 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  1750 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  41 nC @ 8 V  
  封装类型  PowerPAK SC-70  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.15mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  19 W  
  最大连续漏极电流  8.5 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  60 mΩ  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIA429DJT-T1-GE3产品技术参数资料

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