规格:典型关断延迟时间 80 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ901D, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
BUZ901D
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-069
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP100NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
STP100NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2161
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
搜索
Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
SI9934BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3399
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328PBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IRF9328PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9240
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75652G3, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
HUF75652G3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-8705
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
STB24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-1079
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
SI7405BDN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1400
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
SIA429DJT-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1450
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IPB60R600C6
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9049
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IPB50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5158
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IPD50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5334
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IPI50R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4697
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-03, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IPP120N06S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6877
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9388TRPBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IRF9388TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4985
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM55P06-19L-E3, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
SUM55P06-19L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5744
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IXFH36N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-467
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805S-7PPBF, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IRF3805S-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-663
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IPW50R140CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7430
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
FQP33N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5095
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK26N60Q, 26 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
IXFK26N60Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5389
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP054N10, 144 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
FDP054N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9661
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH6442-TL-E, 6 A, Vds=60 V, 6引脚 CPH封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
CPH6442-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-0815
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NXP Si P沟道 MOSFET PMR670UPE, 480 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
PMR670UPE
品牌:
NXP
库存编号:
798-2776
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP101-TL-H, 25 A, Vds=30 V, 3引脚 ATPAK封装
规格:典型关断延迟时间 80 ns,
制造商零件编号:
ATP101-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0740
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