TK39N60W,S1VF(S,799-5138,Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Toshiba
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
799-5138
Toshiba TK39N60W,S1VF(S
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK39N60W,S1VF(S产品详细信息

MOSFET N 通道,TK3x 系列,Toshiba

TK39N60W,S1VF(S产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.94mm  
  尺寸  15.94 x 5.02 x 20.95mm  
  典型关断延迟时间  200 ns  
  典型接通延迟时间  80 ns  
  典型输入电容值@Vds  4100 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  110 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.02mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  270 W  
  最大连续漏极电流  39 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  65 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

TK39N60W,S1VF(S相关搜索

安装类型 通孔  Toshiba 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.94mm  Toshiba 长度 15.94mm  MOSFET 晶体管 长度 15.94mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 15.94mm   尺寸 15.94 x 5.02 x 20.95mm  Toshiba 尺寸 15.94 x 5.02 x 20.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.94 x 5.02 x 20.95mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 15.94 x 5.02 x 20.95mm   典型关断延迟时间 200 ns  Toshiba 典型关断延迟时间 200 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 200 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 200 ns   典型接通延迟时间 80 ns  Toshiba 典型接通延迟时间 80 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 80 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 80 ns   典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V  Toshiba 典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V   典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V  Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  Toshiba 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 20.95mm  Toshiba 高度 20.95mm  MOSFET 晶体管 高度 20.95mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 20.95mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.02mm  Toshiba 宽度 5.02mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.02mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 5.02mm   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Toshiba 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 270 W  Toshiba 最大功率耗散 270 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 270 W  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 270 W   最大连续漏极电流 39 A  Toshiba 最大连续漏极电流 39 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 39 A  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 39 A   最大漏源电压 600 V  Toshiba 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 65 mΩ  Toshiba 最大漏源电阻值 65 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 65 mΩ  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 65 mΩ   最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba 最大栅阈值电压 3.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V   最大栅源电压 ±30 V  Toshiba 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号