TK17E65W,S1X(S,799-5059,Toshiba Si N沟道 MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装 ,Toshiba
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
799-5059
Toshiba TK17E65W,S1X(S
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK17E65W,S1X(S产品详细信息

TK17E65W,S1X(S产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.16mm  
  尺寸  10.16 x 4.45 x 15.1mm  
  典型关断延迟时间  100 ns  
  典型接通延迟时间  50 ns  
  典型输入电容值@Vds  1800 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  45 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.45mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  165 W  
  最大连续漏极电流  17 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  200 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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TK17E65W,S1X(S相关搜索

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