STB18N65M5,783-3034,STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
STB18N65M5
库存编号:
783-3034
STMicroelectronics STB18N65M5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STB18N65M5产品详细信息

N 通道 MDmesh? M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

STB18N65M5产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 9.35 x 4.6mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  36 ns  
  典型输入电容值@Vds  1240 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  31 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh M5  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  15 A  
  最大漏源电压  710 V  
  最大漏源电阻值  220 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

STB18N65M5产品技术参数资料

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