规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STW21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0294
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STF21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2789
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STP18N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2930
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STB18N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3034
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN44N100Q3, 38 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
IXFN44N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7577
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ROHM Si P沟道 MOSFET RZR025P01TL, 2.5 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
RZR025P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7835
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW22NM60N, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STW22NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0297
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK38N80Q2, 38 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK38N80Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5392
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Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60CFD, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
SPP20N60CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3204
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDS9431A_F085, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
FDS9431A_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8726
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP22N50N, 22 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
FDP22N50N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4860
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI22NM60N, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STI22NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9610
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STP21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0070
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STD18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STD18N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3030
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
STF18N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3096
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB44N100Q3, 44 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS264封装
规格:最大漏源电阻值 220 mΩ,
制造商零件编号:
IXFB44N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1373
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