STN1NF10,761-2883,STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NF10, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NF10, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
STN1NF10
库存编号:
761-2883
STMicroelectronics STN1NF10
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STN1NF10产品详细信息

N 通道 STripFET?,STMicroelectronics

STN1NF10产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.6mm  
  典型关断延迟时间  13 ns  
  典型接通延迟时间  4 ns  
  典型输入电容值@Vds  105 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  1 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  800 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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