规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
STD5N20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-990
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A08E6TA, 3.5 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN6A08E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7338
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB9N50CTM, 9 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
FQB9N50CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0933
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NF10, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
STN1NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2883
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220TRPBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR220TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0629
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9630STRL-GE3, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
SIHF9630STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2663
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
BSP315PH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9238
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Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
BSR315PL6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9395
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STP10N95K5, 8 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
STP10N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1440
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9630PBF, 6.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9630PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-2515
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF620PBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IRF620PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0052
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL620SPBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IRL620SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
609-4203
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Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25481F4T, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
CSD25481F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9262
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP322PH6327XTSA1, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
BSP322PH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9279
搜索
Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25481F4, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
CSD25481F4
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4925
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IPI90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6823
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF12N50UT, 10 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF12N50UT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8587
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NM50T4, 7.5 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
STD5NM50T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2867
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR220PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9597
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9630SPBF, 6.5 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4249
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20T4, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
STD5N20T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9913
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP8N50P3, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IXFP8N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4442
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP296NH6327XTSA1, 1.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
BSP296NH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9260
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW10N95K5, 8 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
STW10N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1481
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 800 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU220PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0597
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