IRLHM620TR2PBF,760-4410,Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHM620TR2PBF, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装 ,International Rectifier
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHM620TR2PBF, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装

制造商零件编号:
IRLHM620TR2PBF
库存编号:
760-4410
International Rectifier IRLHM620TR2PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRLHM620TR2PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,12V 至 25V,Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLHM620TR2PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.3mm  
  尺寸  3.3 x 3.3 x 1mm  
  典型关断延迟时间  57 ns  
  典型接通延迟时间  7.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  3620 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  52 nC @ 4.5 V  
  封装类型  PQFN  
  高度  1mm  
  宽度  3.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  37 W  
  最大连续漏极电流  40 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  3.5 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IRLHM620TR2PBF产品技术参数资料

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