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• International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5104TR2PBF, 24 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH5104TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  737-7262
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ0902NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9159
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7769L2TR1PBF, 124 A, Vds=100 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7769L2TR1PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  716-5390
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHM620TR2PBF, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLHM620TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4410
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIRA06DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9373
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4-04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP120P04P4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6889
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7734PBF, 183 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB7734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3319
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS476DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIS476DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9392
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB86135, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB86135
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-3219
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR862DP-T1-GE3, 32 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIR862DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1297
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B215, 164 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL40B215
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7355
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STP140N6F7, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP140N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-4693
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLHM620TRPBF, 26 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLHM620TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7243
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035N10A, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB035N10A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-3200
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI037N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI037N08N3GXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4638
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734PBF, 183 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS7734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3362
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1511RH, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDU1511RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5006
  
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