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安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.39mm
典型关断延迟时间	84 ns
典型接通延迟时间	26 ns
典型输入电容值@Vds	2490 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	57 nC @ 10 V
封装类型	TO-252
高度	2.39mm
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	83 W
最大连续漏极电流	34 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	56 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 84 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 84 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 84 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 84 ns   典型接通延迟时间 26 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 26 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 26 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 26 ns   典型输入电容值@Vds 2490 pF@ 50 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 2490 pF@ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2490 pF@ 50 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2490 pF@ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 83 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 83 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W   最大连续漏极电流 34 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 34 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 34 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 34 A   最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 56 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 56 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 56 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 56 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• FDD3670, PowerTrench 100V N-Channel MOSFET