规格:最大功率耗散 83 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor D45VH10G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
D45VH10G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5141
搜索
ON Semiconductor D44VH10G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
D44VH10G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3464
搜索
ON Semiconductor D45VH10G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
D45VH10G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
774-3473
搜索
STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
STGD5H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2798
搜索
Fairchild Semiconductor FGB7N60UNDF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
FGB7N60UNDF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8824
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IPW90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7434
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
FCP7N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4755
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6718L2TRPBF, 270 A, Vds=25 V, 9引脚 DirectFET L6封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IRF6718L2TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5369
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6415ANT4G, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
NTD6415ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2926
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7570S, 156 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
FDMS7570S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6336
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IPA60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2995
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD04N60Z-1G, 4.1 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
NDD04N60Z-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0481
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD04N60ZT4G, 4.1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
NDD04N60ZT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0484
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ460EP-T1-GE3, 32 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
SQJ460EP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9490
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD6828NLT4G, 41 A, Vds=90 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
NVD6828NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1092
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8018, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
FDMS8018
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3513
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IPI65R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6722
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IPP60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6924
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
SPP08N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8794
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP07N65C3XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
SPP07N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8797
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4685_F085, 32 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
FDD4685_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8085
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
FCD7N60TM_WS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1255
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7787TRPBF, 68 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IRFH7787TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4183
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IPP060N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2276
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R385CP, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大功率耗散 83 W,
制造商零件编号:
IPB60R385CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7495
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