BSC060N10NS3 G,754-5276,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC060N10NS3 G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC060N10NS3 G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号:
BSC060N10NS3 G
库存编号:
754-5276
Infineon BSC060N10NS3 G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSC060N10NS3 G产品详细信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

BSC060N10NS3 G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.35mm  
  尺寸  5.35 x 6.1 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  3700 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  51 nC @ 10 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.1mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  90 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  6 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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BSC060N10NS3 G产品技术参数资料

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