FDMC86102,739-6314,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装

制造商零件编号：
FDMC86102
库存编号：
739-6314
Fairchild Semiconductor FDMC86102
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDMC86102产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor

FDMC86102产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.3mm  
  尺寸  3.3 x 3.3 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  725 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 33  
  高度  1.05mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  41 W  
  最大连续漏极电流  29 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  38 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDMC86102产品技术参数资料

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