FCP11N60N,739-6140,Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60N, 10.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60N, 10.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
FCP11N60N
库存编号：
739-6140
Fairchild Semiconductor FCP11N60N
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FCP11N60N产品详细信息

SupreMOS? MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS?。
与 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。

FCP11N60N产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.16mm  
  尺寸  10.16 x 4.7 x 15.9mm  
  典型关断延迟时间  42 ns  
  典型接通延迟时间  13.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1130 pF@ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  27.4 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SupreMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  94 W  
  最大连续漏极电流  10.8 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  300 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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FCP11N60N配套附件

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FCP11N60N相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FCP11N60N产品技术参数资料

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