PMGD280UN,115,725-8329,Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装 ,Nexperia
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Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号:
PMGD280UN,115
库存编号:
725-8329
Nexperia PMGD280UN,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PMGD280UN,115产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,Nexperia

PMGD280UN,115产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.2mm  
  尺寸  2.2 x 1.35 x 1mm  
  典型关断延迟时间  18.5 ns  
  典型接通延迟时间  4.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  45 pF@ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.89 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-363  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  400 mW  
  最大连续漏极电流  870 mA  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  340 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.45V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PMGD280UN,115产品技术参数资料

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