规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
IPA90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9088
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STW15NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5342
搜索
Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
PMGD280UN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8329
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTD5P06VT4G, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
MTD5P06VT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-6236
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6126
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET 晶体管 PMF280UN,115, 1.02 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-70封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
PMF280UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8385
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
IPW90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8390
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF400N80Z, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
FCPF400N80Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7925
搜索
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR280UN,115, 980 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
PMR280UN,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8427
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STW17N62K3, 15.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STW17N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9770
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP15NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STP15NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0020
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STFI15N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2936
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STP15N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3062
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STF15N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3071
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STD15N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3078
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB15N65M5, 11 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STB15N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3116
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG17N60D-GE3, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
SIHG17N60D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9165
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5019
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP15NK50ZFP, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 340 mΩ,
制造商零件编号:
STP15NK50ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5308
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