Si3443CDV-T1-E3,710-3282,Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 Si3443CDV-T1-E3, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装 ,Vishay
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 Si3443CDV-T1-E3, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号:
Si3443CDV-T1-E3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
710-3282
Vishay Si3443CDV-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

Si3443CDV-T1-E3产品详细信息

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

Si3443CDV-T1-E3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.05mm  
  尺寸  3.05 x 1.65 x 1mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  27 ns  
  典型输入电容值@Vds  610 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7.53 nC @ 4.5 V,8.26 nC @ 5 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  宽度  1.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  2000 mW  
  最大连续漏极电流  4.7 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  60 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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Si3443CDV-T1-E3相关搜索

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Si3443CDV-T1-E3产品技术参数资料

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