规格:最大功率耗散 2000 mW,
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ON Semiconductor MJE15032G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=250 V, HFE:10, 30 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
MJE15032G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
463-634
搜索
NXP PBSS4350Z,135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SC-73封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
PBSS4350Z,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-1693
搜索
DiodesZetex FZT458TA , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:15, 50 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FZT458TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7326
搜索
DiodesZetex FZT649TA , NPN 晶体管, 3 A, Vce=25 V, HFE:15, 240 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FZT649TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7350
搜索
DiodesZetex FZT558TA , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=400 V, HFE:15, 50 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FZT558TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7388
搜索
STMicroelectronics BD239C , NPN 晶体管, 2 A, Vce=100 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
BD239C
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8982
搜索
Toshiba 2SD2092(Q) , NPN 双极晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:150, 140 MHz, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
2SD2092(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1832
查看其他仓库
DiodesZetex FZT560TA , PNP 晶体管, 150 mA, Vce=500 V, HFE:80, 60 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FZT560TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7600
搜索
ON Semiconductor MJF15030G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=150 V, HFE:20, 30 MHz, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
MJF15030G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
545-0315
搜索
Toshiba 2SD1947A(F) , NPN 双极晶体管, 10 A, Vce=100 V, HFE:150, 70 MHz, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
2SD1947A(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1810
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
STS4DPF30L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-861
搜索
NXP 双 Si N/P沟道 MOSFET PHC21025, 2.3 A,3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
PHC21025
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5380
搜索
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6890A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0633
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6898A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0646
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6930B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0655
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6982AS, 6.3 A,8.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6982AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0665
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6986AS, 6.5 A,7.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6986AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0677
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS3455T1G, 3.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
NTGS3455T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9133
搜索
ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTMD3P03R2G, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
NTMD3P03R2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9137
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4214DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3327
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI9933CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3395
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4936BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4746
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET STS4DPF20L, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
STS4DPF20L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-855
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Infineon 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7316PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF7316PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-616
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF9952PBF, 2.3 A,3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF9952PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-701
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