SUP85N10-10-GE3,708-5178,Vishay Si N沟道 MOSFET SUP85N10-10-GE3, 85 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUP85N10-10-GE3, 85 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
SUP85N10-10-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
708-5178
Vishay SUP85N10-10-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SUP85N10-10-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor

SUP85N10-10-GE3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.41mm  
  尺寸  10.41 x 4.7 x 9.01mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  6550 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  105 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.01mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  250000 mW  
  最大连续漏极电流  85 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  10.5 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SUP85N10-10-GE3产品技术参数资料

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