规格:典型关断延迟时间 55 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFB3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-574
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-821
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STP10NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7412
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8623
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC40GPBF, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFIBC40GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1332
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC40PBF, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFPC40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9822
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFP3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6989
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFU1018EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7115
搜索
DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A18DN8TA, 4.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
ZXMP6A18DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2554
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333PBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRF9333PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9259
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STP9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0213
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3007, 75 A,80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
AUIRF3007
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9127
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STB10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STB10N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5690
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB60NF06LT4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STB60NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-6944
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK7A60W,S4VX(M, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
TK7A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5201
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9333TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRF9333TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3928
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1018ETRPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFR1018ETRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4022
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9393PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRF9393PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5117
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206GPBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFB3206GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5123
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60ZFP, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STP10NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8723
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8862
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDV304P, 460 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
FDV304P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4913
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STP60NF06L, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
STP60NF06L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7816
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI840GPBF, 4.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFI840GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-8279
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFPS43N50KPBF, 47 A, Vds=500 V, 3引脚 Super-247封装
规格:典型关断延迟时间 55 ns,
制造商零件编号:
IRFPS43N50KPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1522
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