IRLIB9343PBF,650-4485,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLIB9343PBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLIB9343PBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
IRLIB9343PBF
库存编号：
650-4485
Infineon IRLIB9343PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRLIB9343PBF产品详细信息

数字音频 MOSFET，Infineon

D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。

IRLIB9343PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.63mm  
  尺寸  10.63 x 4.83 x 9.8mm  
  典型关断延迟时间  21 ns  
  典型接通延迟时间  9.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  660 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  31 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  9.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  33 W  
  最大连续漏极电流  14 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  105 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -40°C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

IRLIB9343PBF配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

IRLIB9343PBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.63mm  Infineon 长度 10.63mm  MOSFET 晶体管 长度 10.63mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.63mm   尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm  Infineon 尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 9.8mm   典型关断延迟时间 21 ns  Infineon 典型关断延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns   典型接通延迟时间 9.5 ns  Infineon 典型接通延迟时间 9.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.5 ns   典型输入电容值@Vds 660 pF@ 50 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 660 pF@ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 660 pF@ 50 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 660 pF@ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  Infineon 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 9.8mm  Infineon 高度 9.8mm  MOSFET 晶体管 高度 9.8mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.8mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 33 W  Infineon 最大功率耗散 33 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 33 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 33 W   最大连续漏极电流 14 A  Infineon 最大连续漏极电流 14 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A   最大漏源电压 55 V  Infineon 最大漏源电压 55 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V   最大漏源电阻值 105 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 105 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 105 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 105 mΩ   最大栅阈值电压 1V  Infineon 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -40°C  Infineon 最低工作温度 -40°C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40°C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40°C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  Infineon 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRLIB9343PBF产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号