IRFIZ46NPBF,542-9759,Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFIZ46NPBF, 33 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装 ,International Rectifier
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFIZ46NPBF, 33 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IRFIZ46NPBF
库存编号：
542-9759
International Rectifier IRFIZ46NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFIZ46NPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFIZ46NPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.75mm  
  尺寸  10.75 x 4.83 x 9.8mm  
  典型关断延迟时间  43 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  1500 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  61 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  9.8mm  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  45 W  
  最大连续漏极电流  33 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  20 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFIZ46NPBF产品技术参数资料

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