STP4NK60Z,485-7686,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP4NK60Z, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP4NK60Z, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
STP4NK60Z
库存编号:
485-7686
STMicroelectronics STP4NK60Z
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STP4NK60Z产品详细信息

N 通道 MDmesh? SuperMESH?,250V 至 650V,STMicroelectronics

STP4NK60Z产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 9.15mm  
  典型关断延迟时间  29 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  510 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  18.8 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  9.15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh, SuperMESH  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  70000 mW  
  最大连续漏极电流  4 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  2 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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