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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.45mm
典型输入电容值@Vds	250 pF @ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	10 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.45mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	2000 mW
最大连续漏极电流	2.3 A，3.5 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	100 mΩ，250 mΩ
最大栅阈值电压	2.8V
最大栅源电压	20 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• PHC21025 Complementary enhancement mode MOS transistors Data Sheet