FDD3672,463-4792,Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD3672, 6.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD3672, 6.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
FDD3672
库存编号:
463-4792
Fairchild Semiconductor FDD3672
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDD3672产品详细信息

UltraFET? MOSFET,Fairchild Semiconductor

UItraFET? Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

FDD3672产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 5.59 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  26 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  1710 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  24 nC V @ 10  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.59mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  UltraFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  135000 mW  
  最大连续漏极电流  6.5 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  0.028 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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