产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRFS31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
539-4990
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0541
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRFS23N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4845
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6892A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
FDS6892A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0637
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRL3705ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7175
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
NTD5865NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2894
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL3705ZL, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
AUIRL3705ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4331
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR2905
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4356
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
STD7ANM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5723
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IXFH30N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1386
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5865NLT4G, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
NVD5865NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1080
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3890, 4.7 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
FDS3890
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3630
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6911, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
FDS6911
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3661
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRFB31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3947
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRFS31N20DTRLP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4091
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRLR2905TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3357
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44NSTRLPBF, 47 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRLZ44NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3417
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
FDD13AN06A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8039
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRFB23N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5787
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
BSR802N L6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2251
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
BSC100N10NSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4375
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3796
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Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET C2M0040120D, 60 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
C2M0040120D
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
923-0711
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
STD7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1988
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD100N04S4-02, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 26 ns,
制造商零件编号:
IPD100N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7111
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