STW18N60DM2,111-6479,STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
STW18N60DM2
库存编号:
111-6479
STMicroelectronics STW18N60DM2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STW18N60DM2产品详细信息

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101

STW18N60DM2产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.75mm  
  尺寸  15.75 x 5.15 x 20.15mm  
  典型关断延迟时间  9.5 ns  
  典型接通延迟时间  13.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  800 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.15mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh DM2  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.6V  
  最大功率耗散  90 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  290 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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