BUZ906P,841-132,Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装 ,Magnatec
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
BUZ906P
库存编号：
841-132
Magnatec BUZ906P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BUZ906P产品详细信息

P-Channel MOSFET Transistors, Semelab

BUZ906P产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.26mm  
  尺寸  16.26 x 2.49 x 21.46mm  
  典型关断延迟时间  60 ns  
  典型接通延迟时间  120 ns  
  典型输入电容值@Vds  734 pF @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.46mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.49mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  1.5 Ω  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  ±14 V  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

BUZ906P配套附件

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BUZ906P产品技术参数资料

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