PH3230S,115,508-563,NXP N沟道 MOSFET PH3230S,115, 100 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装 ,NXP

专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品

关于我们 | 付款方式 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

NXP N沟道 MOSFET PH3230S,115, 100 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装

制造商零件编号：: PH3230S,115
制造商：: NXP NXP
库存编号：: 508-563

NXP

NXP PH3230S,115

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

PH3230S,115产品详细信息

N 通道 MOSFET，超过 100A，Nexperia

PH3230S,115配套附件

产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作

Sensitec 电流传感器 CDS4100ACC-KA, 100 A输入磁阻, 6mA输出
制造商零件编号：
CDS4100ACC-KA
品牌：
Sensitec
库存编号：
763-9784
搜索

PH3230S,115相关搜索

安装类型表面贴装 NXP 安装类型表面贴装 MOSFET 晶体管安装类型表面贴装 NXP MOSFET 晶体管安装类型表面贴装长度 5mm NXP 长度 5mm MOSFET 晶体管长度 5mm NXP MOSFET 晶体管长度 5mm 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm NXP 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm MOSFET 晶体管尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm NXP MOSFET 晶体管尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm 典型关断延迟时间 85 ns NXP 典型关断延迟时间 85 ns MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 85 ns NXP MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 85 ns 典型接通延迟时间 14 ns NXP 典型接通延迟时间 14 ns MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 14 ns NXP MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 14 ns 典型输入电容值@Vds 4100 pF@ 10 V NXP 典型输入电容值@Vds 4100 pF@ 10 V MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 4100 pF@ 10 V NXP MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 4100 pF@ 10 V 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 5 V NXP 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 5 V MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 5 V NXP MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 5 V 封装类型 LFPAK NXP 封装类型 LFPAK MOSFET 晶体管封装类型 LFPAK NXP MOSFET 晶体管封装类型 LFPAK 高度 1.1mm NXP 高度 1.1mm MOSFET 晶体管高度 1.1mm NXP MOSFET 晶体管高度 1.1mm 晶体管配置单 NXP 晶体管配置单 MOSFET 晶体管晶体管配置单 NXP MOSFET 晶体管晶体管配置单宽度 4.1mm NXP 宽度 4.1mm MOSFET 晶体管宽度 4.1mm NXP MOSFET 晶体管宽度 4.1mm 类别功率 MOSFET NXP 类别功率 MOSFET MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET NXP MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET 每片芯片元件数目 1 NXP 每片芯片元件数目 1 MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 1 NXP MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 1 通道类型 N NXP 通道类型 N MOSFET 晶体管通道类型 N NXP MOSFET 晶体管通道类型 N 通道模式增强 NXP 通道模式增强 MOSFET 晶体管通道模式增强 NXP MOSFET 晶体管通道模式增强引脚数目 5 NXP 引脚数目 5 MOSFET 晶体管引脚数目 5 NXP MOSFET 晶体管引脚数目 5 最大功率耗散 62500 mW NXP 最大功率耗散 62500 mW MOSFET 晶体管最大功率耗散 62500 mW NXP MOSFET 晶体管最大功率耗散 62500 mW 最大连续漏极电流 100 A NXP 最大连续漏极电流 100 A MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 100 A NXP MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 100 A 最大漏源电压 30 V NXP 最大漏源电压 30 V MOSFET 晶体管最大漏源电压 30 V NXP MOSFET 晶体管最大漏源电压 30 V 最大漏源电阻值 3 mΩ NXP 最大漏源电阻值 3 mΩ MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 3 mΩ NXP MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 3 mΩ 最大栅阈值电压 3V NXP 最大栅阈值电压 3V MOSFET 晶体管最大栅阈值电压 3V NXP MOSFET 晶体管最大栅阈值电压 3V 最大栅源电压 ±20 V NXP 最大栅源电压 ±20 V MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V NXP MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V 最低工作温度 -55 °C NXP 最低工作温度 -55 °C MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C NXP MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C 最高工作温度 +150 °C NXP 最高工作温度 +150 °C MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C NXP MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C 最小栅阈值电压 1V NXP 最小栅阈值电压 1V MOSFET 晶体管最小栅阈值电压 1V NXP MOSFET 晶体管最小栅阈值电压 1V

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

PH3230S,115产品技术参数资料

N-Ch. TRENCHMOS,75V,PH3230S

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

ROHM半导体简介 | ROHM产品 | ROHM动态 | 产品应用 | 按产品系列选型 | 按产品规格选型 | ROHM选型手册

Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号