产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IXFH44N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-552
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Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IRF9140
品牌:
Magnatec
库存编号:
189-0955
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP373, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
BSP373
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8224
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
STP26NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0083
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
SI7615ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9248
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK10A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4993
查看其他仓库
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPB120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9092
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6113
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6126
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK65A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6258
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPA60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8609
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK65E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2414
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH120N15P, 120 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IXFH120N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-237
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN48N60P, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IXFN48N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-473
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN64N50P, 61 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IXFN64N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-568
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
STF26NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2000
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 148 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK65E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5185
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65E10N1,S1X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK65E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6252
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPI120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4672
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPP120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6883
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK10A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2863
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK11A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2875
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12A60W,S5VX(J, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK12A60W,S5VX(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2879
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
TK12J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2881
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPD60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
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