IXFX30N100Q2,193-947,IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装

制造商零件编号:
IXFX30N100Q2
制造商:
IXYS IXYS
库存编号:
193-947
IXYS IXFX30N100Q2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IXFX30N100Q2产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q 系列

N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFX30N100Q2产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.34mm  
  典型关断延迟时间  60 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  8200 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  186 nC @ 10 V  
  封装类型  PLUS247  
  高度  21.34mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Q-Class  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  735 W  
  最大连续漏极电流  30 A  
  最大漏源电压  1000 V  
  最大漏源电阻值  400 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFX30N100Q2产品技术参数资料

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