STGE50NC60WD,810-7483,STMicroelectronics STGE50NC60WD N通道 IGBT 模块, 100 A, Vce=600 V, 4引脚 ISOTOP封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics STGE50NC60WD N通道 IGBT 模块, 100 A, Vce=600 V, 4引脚 ISOTOP封装

制造商零件编号:
STGE50NC60WD
库存编号:
810-7483
STMicroelectronics STGE50NC60WD
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STGE50NC60WD产品详细信息

IGBT 分立,STMicroelectronics

STGE50NC60WD产品技术参数

  安装类型  面板安装  
  长度  38.2mm  
  尺寸  38.2 x 25.5 x 12.2mm  
  封装类型  ISOTOP  
  高度  12.2mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  25.5mm  
  配置  单  
  通道类型  N  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  260 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  100 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

STGE50NC60WD相关搜索

安装类型 面板安装  STMicroelectronics 安装类型 面板安装  IGBT 晶体管模块 安装类型 面板安装  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 安装类型 面板安装   长度 38.2mm  STMicroelectronics 长度 38.2mm  IGBT 晶体管模块 长度 38.2mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 长度 38.2mm   尺寸 38.2 x 25.5 x 12.2mm  STMicroelectronics 尺寸 38.2 x 25.5 x 12.2mm  IGBT 晶体管模块 尺寸 38.2 x 25.5 x 12.2mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 尺寸 38.2 x 25.5 x 12.2mm   封装类型 ISOTOP  STMicroelectronics 封装类型 ISOTOP  IGBT 晶体管模块 封装类型 ISOTOP  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 封装类型 ISOTOP   高度 12.2mm  STMicroelectronics 高度 12.2mm  IGBT 晶体管模块 高度 12.2mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 高度 12.2mm   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  IGBT 晶体管模块 晶体管配置 单  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 晶体管配置 单   开关速度 1MHz  STMicroelectronics 开关速度 1MHz  IGBT 晶体管模块 开关速度 1MHz  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 开关速度 1MHz   宽度 25.5mm  STMicroelectronics 宽度 25.5mm  IGBT 晶体管模块 宽度 25.5mm  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 宽度 25.5mm   配置 单  STMicroelectronics 配置 单  IGBT 晶体管模块 配置 单  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 配置 单   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  IGBT 晶体管模块 通道类型 N  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 通道类型 N   引脚数目 4  STMicroelectronics 引脚数目 4  IGBT 晶体管模块 引脚数目 4  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 引脚数目 4   最大功率耗散 260 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 260 W  IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 260 W  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 260 W   最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 600 V  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 100 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 100 A  IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 100 A  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 100 A   最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号