规格:最大功率耗散 260 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor NGTB40N120LWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
NGTB40N120LWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5103
查看其他仓库
Fuji Electric FGW30N120HD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
FGW30N120HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9039
查看其他仓库
ON Semiconductor NGTB40N120LWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
NGTB40N120LWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7403
搜索
ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
NGTB40N120IHLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7409
查看其他仓库
STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGW30V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7633
搜索
STMicroelectronics STGF30V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGF30V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9346
搜索
Fuji Electric FGW25N120VD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
FGW25N120VD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9042
查看其他仓库
STMicroelectronics STGWT30V60F N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGWT30V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5833
搜索
STMicroelectronics STGW30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGW30H60DFB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7450
查看其他仓库
ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
NGTB40N120IHLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5104
查看其他仓库
ON Semiconductor NGTB30N120IHLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
NGTB30N120IHLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7380
搜索
ON Semiconductor NGTB30N120LWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
NGTB30N120LWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7392
搜索
STMicroelectronics STGP30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGP30V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9377
搜索
Infineon N沟道 MOSFET IRF8010LPBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
IRF8010LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4132
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
FDB2710
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8961
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8010PBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
IRF8010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0290
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDP2614, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
FDP2614
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3557
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STMicroelectronics STGE50NC60WD N通道 IGBT 模块, 100 A, Vce=600 V, 4引脚 ISOTOP封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGE50NC60WD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-7483
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STMicroelectronics STGE50NC60VD N沟道 IGBT, 90 A, Vce=600 V, 1MHz, 4引脚 ISOTOP封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGE50NC60VD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3475
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STMicroelectronics STGWT30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
STGWT30H60DFB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7325
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
FDP2710
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8546
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8010PBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 260 W,
制造商零件编号:
IRF8010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8696
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