BDW93CFP,793-1318,STMicroelectronics BDW93CFP NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220FP封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics BDW93CFP NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
BDW93CFP
库存编号:
793-1318
STMicroelectronics BDW93CFP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BDW93CFP产品详细信息

NPN 复合晶体管,STMicroelectronics

BDW93CFP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 16.4mm  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  16.4mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  33 W  
  最大基极-发射极饱和电压  4 V  
  最大集电极-发射极电压  100 V  
  最大集电极-基极电压  100 V  
  最大集电极-基极截止电流  5mA  
  最大连续集电极电流  15 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  100  
关键词         

BDW93CFP配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

BDW93CFP相关搜索

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  达林顿晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics 达林顿晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  达林顿晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm  达林顿晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm   封装类型 TO-220FP  STMicroelectronics 封装类型 TO-220FP  达林顿晶体管 封装类型 TO-220FP  STMicroelectronics 达林顿晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 16.4mm  STMicroelectronics 高度 16.4mm  达林顿晶体管 高度 16.4mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 高度 16.4mm   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  达林顿晶体管 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  达林顿晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics 达林顿晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  达林顿晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics 达林顿晶体管 宽度 4.6mm   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  达林顿晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics 达林顿晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 33 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 33 W  达林顿晶体管 最大功率耗散 33 W  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大功率耗散 33 W   最大基极-发射极饱和电压 4 V  STMicroelectronics 最大基极-发射极饱和电压 4 V  达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4 V   最大集电极-发射极电压 100 V  STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 100 V  STMicroelectronics 最大集电极-基极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V   最大集电极-基极截止电流 5mA  STMicroelectronics 最大集电极-基极截止电流 5mA  达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 5mA  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 5mA   最大连续集电极电流 15 A  STMicroelectronics 最大连续集电极电流 15 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 15 A  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 15 A   最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -65 °C  达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 100  STMicroelectronics 最小直流电流增益 100  达林顿晶体管 最小直流电流增益 100  STMicroelectronics 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号