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• Infineon IRGP6630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGP6630DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4243
  
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• Infineon IRGS4630DPBF N沟道 IGBT, 47 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGS4630DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4278
  
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• IXYS IXA30RG1200DHGLB N沟道 IGBT, 43 A, Vce=1200 V, 9引脚 SMPD封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IXA30RG1200DHGLB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2522
  
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• IXYS IXA40RG1200DHGLB N沟道 IGBT, 61 A, Vce=1200 V, 9引脚 SMPD封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IXA40RG1200DHGLB
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2532
  
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• Vishay VS-GA250SA60S N沟道 IGBT, 400 A, Vce=600 V, 5kHz, 4引脚 SOT-227封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  VS-GA250SA60S
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  877-6405
  
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• Infineon IRG8P15N120KDPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRG8P15N120KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3393
  
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• Infineon IRGB4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGB4715DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3426
  
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• Infineon IRGP4690DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGP4690DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3438
  
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• Infineon IRGP4790DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGP4790DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3457
  
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• Infineon IRGPS66160DPBF N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGPS66160DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3472
  
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• Infineon IRGS4610DPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGS4610DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3482
  
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• Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGS4607DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3488
  
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• Infineon IRGS4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGS4715DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3508
  
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• ON Semiconductor NGTB15N120IHWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  NGTB15N120IHWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9802
  
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• ON Semiconductor NGTB45N60S1WG N沟道 IGBT, 90 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  NGTB45N60S1WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9821
  
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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2734
  
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• Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  GT50J342,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2740
  
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• Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  GT40QR21,F(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2743
  
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• Infineon IKW15N120T2 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IKW15N120T2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7217
  
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• STMicroelectronics STGB10M65DF2 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  STGB10M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2782
  
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• STMicroelectronics STGP10M65DF2 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  STGP10M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2795
  
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• STMicroelectronics STGW40S120DF3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  STGW40S120DF3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2818
  
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• Infineon IRGP30B60KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGP30B60KD-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4851
  
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• Infineon IRG4BC30FD-SPBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30FD-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4855
  
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• Infineon IRGS10B60KDPBF N沟道 IGBT, 22 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,
• 制造商零件编号：
  IRGS10B60KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4870
  
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