GT40QR21,F(O,891-2743,Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装 ,Toshiba
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
GT40QR21,F(O
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
891-2743
Toshiba GT40QR21,F(O
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

GT40QR21,F(O产品详细信息

IGBT 分立，Toshiba

GT40QR21,F(O产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.5mm  
  尺寸  15.5 x 4.5 x 20mm  
  额定能量  0.29mJ  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  0.4μs  
  宽度  4.5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  1500pF  
  最大功率耗散  230 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  40 A  
  最大栅极发射极电压  ±25V  
  最高工作温度  175 °C  
关键词         

GT40QR21,F(O关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

GT40QR21,F(O相关搜索

安装类型 通孔  Toshiba 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Toshiba IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.5mm  Toshiba 长度 15.5mm  IGBT 晶体管 长度 15.5mm  Toshiba IGBT 晶体管 长度 15.5mm   尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm  Toshiba 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm  Toshiba IGBT 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm   额定能量 0.29mJ  Toshiba 额定能量 0.29mJ  IGBT 晶体管 额定能量 0.29mJ  Toshiba IGBT 晶体管 额定能量 0.29mJ   封装类型 TO-3P  Toshiba 封装类型 TO-3P  IGBT 晶体管 封装类型 TO-3P  Toshiba IGBT 晶体管 封装类型 TO-3P   高度 20mm  Toshiba 高度 20mm  IGBT 晶体管 高度 20mm  Toshiba IGBT 晶体管 高度 20mm   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Toshiba IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 0.4μs  Toshiba 开关速度 0.4μs  IGBT 晶体管 开关速度 0.4μs  Toshiba IGBT 晶体管 开关速度 0.4μs   宽度 4.5mm  Toshiba 宽度 4.5mm  IGBT 晶体管 宽度 4.5mm  Toshiba IGBT 晶体管 宽度 4.5mm   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Toshiba IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Toshiba IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 1500pF  Toshiba 栅极电容 1500pF  IGBT 晶体管 栅极电容 1500pF  Toshiba IGBT 晶体管 栅极电容 1500pF   最大功率耗散 230 W  Toshiba 最大功率耗散 230 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 230 W  Toshiba IGBT 晶体管 最大功率耗散 230 W   最大集电极-发射极电压 1200 V  Toshiba 最大集电极-发射极电压 1200 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V  Toshiba IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V   最大连续集电极电流 40 A  Toshiba 最大连续集电极电流 40 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 40 A  Toshiba IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 40 A   最大栅极发射极电压 ±25V  Toshiba 最大栅极发射极电压 ±25V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±25V  Toshiba IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±25V   最高工作温度 175 °C  Toshiba 最高工作温度 175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 175 °C  Toshiba IGBT 晶体管 最高工作温度 175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

GT40QR21,F(O产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号