GT50J342,Q(O,891-2740,Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装 ,Toshiba
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Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号:
GT50J342,Q(O
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
891-2740
Toshiba GT50J342,Q(O
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

GT50J342,Q(O产品详细信息

IGBT 分立,Toshiba

GT50J342,Q(O产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.5mm  
  尺寸  15.5 x 4.5 x 20mm  
  额定能量  1.7mJ  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  0.38μs  
  宽度  4.5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  4800pF  
  最大功率耗散  394 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  80 A  
  最大栅极发射极电压  ±25V  
  最高工作温度  175 °C  
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GT50J342,Q(O产品技术参数资料

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