产品分类:分立半导体,搜索词:827,
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
CSD19506KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4903
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
CSD19531KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4912
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19536KCS, 259 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
CSD19536KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4919
搜索
Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87331Q3D, 45 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
CSD87331Q3D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4940
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
IPD088N06N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5081
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
BSZ130N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5101
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
IPB50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5158
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
IPB180N06S4H1ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5182
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
IPB180N06S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5189
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
IPD096N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5211
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Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSZ0907NDXTMA1, 25 A,30 A, Vds=30 V, 8引脚 WISON封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
BSZ0907NDXTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5233
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
SPD15P10PG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5300
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
BSC110N06NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5303
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
IPD50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5334
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PLG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
SPD15P10PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5347
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK100A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6097
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6107
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6113
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK14A65W5,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6123
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6126
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK16J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6141
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6157
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,搜索词:827,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
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