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安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.7 x 16.51mm
典型关断延迟时间	16 ns
典型接通延迟时间	8.4 ns
典型输入电容值@Vds	2980 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	38 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	16.51mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	NexFET
引脚数目	3
最大功率耗散	214 W
最大连续漏极电流	110 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	8.8 mΩ
最大栅阈值电压	3.3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2.2V
关键词

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