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• STMicroelectronics BUTW92 , NPN 晶体管, 60 A, Vce=250 V, HFE:6, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  BUTW92
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  686-7985
  
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• ON Semiconductor MJ15015G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=120 V, HFE:5, 1 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  MJ15015G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3206
  
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• ON Semiconductor MJ15016G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=120 V, HFE:5, 1 MHz, 2引脚 TO-204AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  MJ15016G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3215
  
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• ON Semiconductor NJL0281DG , NPN 双极晶体管, 25 A, Vce=260 V, HFE:75, 5引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  NJL0281DG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1783
  
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• Infineon IRG7PH35UD-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRG7PH35UD-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4861
  
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• Infineon IRG7PH30K10DPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRG7PH30K10DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7552
  
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• IXYS IXGP20N120B3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 20kHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXGP20N120B3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  791-7425
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9140PBF, 21 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP9140PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9727
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRL2203NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9985
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2874
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9844
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXTH12N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1457
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXTP12N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1505
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0777
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50PBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9838
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  SIHP15N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9437
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF76639S3ST_F085, 51 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  HUF76639S3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9319
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXTA12N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1508
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP27N25, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  FQP27N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5060
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  SIHB15N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9304
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP8N50P3, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IXFP8N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4442
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSTRLPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4929
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4854
  
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• STMicroelectronics BUTW92 , NPN 晶体管, 60 A, Vce=250 V, HFE:6, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  BUTW92
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1438
  
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• Infineon IRG7PH35UDPBF N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 180 W,
• 制造商零件编号：
  IRG7PH35UDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7565
  
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