IXTH12N65X2,917-1457,IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装 ,IXYS
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IXTH12N65X2
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
917-1457
IXYS IXTH12N65X2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IXTH12N65X2产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 类系列

与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。

极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装

IXTH12N65X2产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.24mm  
  尺寸  16.24 x 21.45 x 5.3mm  
  典型关断延迟时间  52 ns  
  典型接通延迟时间  23 ns  
  典型输入电容值@Vds  1100 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17.7 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  5.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  21.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  X2-Class  
  引脚数目  3  
  正向二极管电压  1.4V  
  正向跨导  11S  
  最大功率耗散  180 W  
  最大连续漏极电流  12 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  0.3 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXTH12N65X2产品技术参数资料

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