IRG7PH35UD-EP,907-4861,Infineon IRG7PH35UD-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装 ,Infineon
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Infineon IRG7PH35UD-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装

制造商零件编号：
IRG7PH35UD-EP
库存编号：
907-4861
Infineon IRG7PH35UD-EP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRG7PH35UD-EP产品详细信息

Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon

Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

IRG7PH35UD-EP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 5.31 x 20.7mm  
  额定能量  2150μJ  
  封装类型  TO-247AD  
  高度  20.7mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  5.31mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  1940pF  
  最大功率耗散  180 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  50 A  
  最大栅极发射极电压  ±30V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IRG7PH35UD-EP相关搜索

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